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BCP56-10T1中文资料

BCP56-10T1图片

BCP56-10T1外观图

  • 大小：78.02KB
  • 厂家：
  • 描述：NPN Silicon Epitaxial Transistor
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：25 at 5 mA at 2 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：130 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-223-4
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：1 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：1.5 W
  • 工厂包装数量：1000

BCP56-10T1供应商

更新时间:2023-01-12 10:45:02
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